本研究系統(tǒng)考察了熱交換法生長(zhǎng)的藍(lán)寶石晶體在寬溫域(298~1773 K)內(nèi)的熱學(xué)性能。采用高精度測(cè)試設(shè)備,獲得了晶體三個(gè)主要晶向的熱膨脹系數(shù)、比熱容、熱擴(kuò)散系數(shù)及熱導(dǎo)率等關(guān)鍵參數(shù)。>
藍(lán)寶石因其優(yōu)異的物理化學(xué)性能,成為半導(dǎo)體、LED、激光器、光學(xué)窗口等領(lǐng)域的核心材料。其熱學(xué)性能(如熱膨脹系數(shù)和熱導(dǎo)率)對(duì)器件的熱穩(wěn)定性和可靠性至關(guān)重要。不同晶向的藍(lán)寶石材料在熱學(xué)性能上存在顯著差異,因此在器件設(shè)計(jì)時(shí)需合理選擇晶向。
作為一家擁有十幾年行業(yè)經(jīng)驗(yàn)的藍(lán)寶石材料供應(yīng)商,上海知明科技可提供多種晶向(C、M、R、A、C偏A等)的藍(lán)寶石襯底,尺寸覆蓋2寸至12寸,并可進(jìn)行精密加工、鍍膜(如增透膜、高反射膜等)及定制各類藍(lán)寶石光學(xué)元件(如藍(lán)寶石窗口片、藍(lán)寶石棒、藍(lán)寶石柱等)。我們的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)>
自20世紀(jì)80年代以來(lái),電子元器件的集成度以每年1.5倍以上的速度持續(xù)增長(zhǎng)。隨著集成電路集成度的不斷提高,芯片工作過(guò)程中產(chǎn)生的熱量急劇增加。如果不能及時(shí)散熱,將導(dǎo)致元器件熱失效并顯著縮短使用壽命。因此,開發(fā)具有優(yōu)異導(dǎo)熱性能的新型電子封裝材料成為當(dāng)務(wù)之急。>
近年來(lái),碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,在電動(dòng)汽車、工業(yè)電源等領(lǐng)域大放異彩。然而,其應(yīng)用遠(yuǎn)不止于此——隨著增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)(AR)技術(shù)的快速發(fā)展,SiC憑借獨(dú)特的材料特性,正成為全彩光波導(dǎo)技術(shù)的核心材料,為AR眼鏡的輕量化、高亮度和廣視場(chǎng)角提供關(guān)鍵解決方案。>
在寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅(SiC)晶體的質(zhì)量直接影響著功率器件的性能表現(xiàn)。為實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)SiC晶體的制備,必須建立完善的缺陷評(píng)估體系,這涉及籽晶篩選、生長(zhǎng)工藝優(yōu)化以及外延缺陷控制等多個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。>
以ChatGPT為標(biāo)志的生成式人工智能技術(shù)持續(xù)突破性發(fā)展,伴隨全球數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)海量積累態(tài)勢(shì),正引發(fā)算力體系重構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)傳輸能力革新的雙重挑戰(zhàn)。在此背景下,鈮酸鋰晶體憑借其低損耗>
一、氮化鎵
氮化鎵是一種無(wú)機(jī)物,其化學(xué)式為GaN,英文名稱為Gallium Nitride,是氮和鎵的化合物,屬于第三代半導(dǎo)體材料,通常情況下為白色或微黃色的固體粉末,具有結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、熔點(diǎn)高、>
案例研究:知明在新型4H/6H-P 3C-N SiC襯底上的突破
知明一直走在碳化硅(SiC)晶圓和襯底創(chuàng)新的前沿,以提供高性能的6H-SiC和4H-SiC襯底而聞名,這些襯底是先進(jìn)電子設(shè)備發(fā)展不可或>
知明案例研究:高品質(zhì)合成有色藍(lán)寶石的主要供應(yīng)商
知明是合成寶石行業(yè)的領(lǐng)先品牌,提供廣泛的高品質(zhì),充滿活力的彩色藍(lán)寶石。我們的產(chǎn)品包括一個(gè)廣泛的調(diào)色板的顏色,如寶藍(lán)色,鮮艷>
什么是Dummy Wafer
一、Dummy Wafer 的定義與作用
Dummy Wafer,中文稱為測(cè)試片,是在晶圓制造過(guò)程中專門用于測(cè)試機(jī)臺(tái)設(shè)備的晶圓,通常不會(huì)用于實(shí)際生產(chǎn),也不會(huì)直接作為成>
玻璃基板時(shí)代到來(lái),TGV技術(shù)先進(jìn)封裝
在高端芯片中,有機(jī)基板將在未來(lái)幾年達(dá)到能力極限,英特爾將生產(chǎn)面向數(shù)據(jù)中心的 SiP,具有數(shù)十個(gè)tiles,功耗可能高達(dá)數(shù)千瓦。此類 SiP 需小芯片間>
2024年上海慕尼黑半導(dǎo)體展會(huì)上,3C Sic碳化硅襯底作為第三代半導(dǎo)體材料的核心環(huán)節(jié),再次成為焦點(diǎn)。公司在此次展會(huì)中展示了其在碳>
版權(quán)所有 ? 2024 知明科技 閩ICP備11009035號(hào)-1
地址:上海青浦區(qū)淀山湖大道 萬(wàn)達(dá)茂1號(hào)樓 1805