摘要 激光加工技術(shù)的效能提升高度依賴光學(xué)系統(tǒng)的精準聚焦能力，但傳統(tǒng)透鏡在強激光輻照下因熱積累導(dǎo)致的性能退化問題長期制約其應(yīng)用。針對這一挑戰(zhàn)，西湖大學(xué)仇旻團隊開發(fā)的?>
本研究系統(tǒng)考察了熱交換法生長的藍寶石晶體在寬溫域(298～1773 K)內(nèi)的熱學(xué)性能。采用高精度測試設(shè)備，獲得了晶體三個主要晶向的熱膨脹系數(shù)、比熱容、熱擴散系數(shù)及熱導(dǎo)率等關(guān)鍵參數(shù)。>
自20世紀80年代以來，電子元器件的集成度以每年1.5倍以上的速度持續(xù)增長。隨著集成電路集成度的不斷提高，芯片工作過程中產(chǎn)生的熱量急劇增加。如果不能及時散熱，將導(dǎo)致元器件熱失效并顯著縮短使用壽命。因此，開發(fā)具有優(yōu)異導(dǎo)熱性能的新型電子封裝材料成為當(dāng)務(wù)之急。>
近年來，碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料的代表，在電動汽車、工業(yè)電源等領(lǐng)域大放異彩。然而，其應(yīng)用遠不止于此——隨著增強現(xiàn)實（AR）技術(shù)的快速發(fā)展，SiC憑借獨特的材料特性，正成為全彩光波導(dǎo)技術(shù)的核心材料，為AR眼鏡的輕量化、高亮度和廣視場角提供關(guān)鍵解決方案。>
在寬禁帶半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅（SiC）晶體的質(zhì)量直接影響著功率器件的性能表現(xiàn)。為實現(xiàn)高品質(zhì)SiC晶體的制備，必須建立完善的缺陷評估體系，這涉及籽晶篩選、生長工藝優(yōu)化以及外延缺陷控制等多個關(guān)鍵環(huán)節(jié)。>
以ChatGPT為標(biāo)志的生成式人工智能技術(shù)持續(xù)突破性發(fā)展，伴隨全球數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)海量積累態(tài)勢，正引發(fā)算力體系重構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)傳輸能力革新的雙重挑戰(zhàn)。在此背景下，鈮酸鋰晶體憑借其低損耗>
一、氮化鎵 氮化鎵是一種無機物，其化學(xué)式為GaN，英文名稱為Gallium Nitride，是氮和鎵的化合物，屬于第三代半導(dǎo)體材料，通常情況下為白色或微黃色的固體粉末，具有結(jié)構(gòu)穩(wěn)定、熔點高、>
什么是Dummy Wafer 一、Dummy Wafer 的定義與作用 Dummy Wafer，中文稱為測試片，是在晶圓制造過程中專門用于測試機臺設(shè)備的晶圓，通常不會用于實際生產(chǎn)，也不會直接作為成>
玻璃基板時代到來，TGV技術(shù)先進封裝 在高端芯片中，有機基板將在未來幾年達到能力極限，英特爾將生產(chǎn)面向數(shù)據(jù)中心的 SiP，具有數(shù)十個tiles，功耗可能高達數(shù)千瓦。此類 SiP 需小芯片間>
SiC 和 GaN 的競爭 自 2001 年左右以來，化合物半導(dǎo)體氮化鎵引發(fā)了一場照明革命，這在某種程度上是人類歷史上最快的技術(shù)革命。根據(jù)國際能源署的一項研究，在短短二十年內(nèi)，基于氮>
彩寶收藏家，藍寶石的皇室淵源 今年開年以來，曾經(jīng)一度不溫不火的彩色寶石市場，悄然出現(xiàn)逆勢上揚的現(xiàn)象。新消費需求助燃了彩色寶石市場的火熱，量價齊升。據(jù)中寶協(xié)基金市場調(diào)研>
從實際情況上看，目前多數(shù)SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進行生產(chǎn)，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會在很大程度上降低SiC的應(yīng)用成本。但為什么目前市場上主流還是6英寸碳化硅襯底？>
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