1、超高耐壓性

采用梯度AlGaN緩沖層設(shè)計(jì)和優(yōu)化的碳摻雜工藝，使垂直擊穿電壓達(dá)到158V/μm的行業(yè)領(lǐng)先水平，可穩(wěn)定支持650V-1200V高壓器件工作。在新能源汽車(chē)主驅(qū)逆變器中，采用該技術(shù)的SiC MOSFET模塊可使功率密度提升至50kW/L以上，同時(shí)將系統(tǒng)效率提高至98.5%，顯著延長(zhǎng)電動(dòng)汽車(chē)?yán)m(xù)航里程。充電樁模塊應(yīng)用時(shí)，支持350kW大功率快充，充電效率提升至95%以上。

2、高電子遷移率

通過(guò)精確調(diào)控Al組分（28%-32%）和超薄勢(shì)壘層設(shè)計(jì)（12-15nm），實(shí)現(xiàn)二維電子氣濃度＞8×10¹³ cm?²，室溫遷移率突破2000 cm²/V·s。在5G基站應(yīng)用中，基于該材料的功率放大器（PA）在3.5GHz頻段可實(shí)現(xiàn)＞60%的功率附加效率，輸出功率＞200W，相比傳統(tǒng)LDMOS方案功耗降低25%，有效解決毫米波通信的散熱難題。

3、低成本優(yōu)勢(shì)

創(chuàng)新采用8英寸硅基GaN-on-Si技術(shù)，通過(guò)優(yōu)化的應(yīng)力控制緩沖層（厚度＜1μm），使晶圓成本較碳化硅基降低70%。在65W PD快充領(lǐng)域，該方案將BOM成本壓縮至$5以下，推動(dòng)GaN快充市場(chǎng)滲透率突破40%。工業(yè)電源應(yīng)用時(shí)，系統(tǒng)級(jí)成本下降30%的同時(shí)，功率密度提升3倍。

4、大尺寸兼容性

開(kāi)發(fā)了針對(duì)8英寸硅襯底的特有翹曲控制技術(shù)（＜30μm），配合創(chuàng)新的邊緣保護(hù)工藝，實(shí)現(xiàn)＞90%的良品率。單條產(chǎn)線年產(chǎn)能超5000片，可滿足年供50萬(wàn)輛電動(dòng)汽車(chē)的芯片需求。最新研發(fā)的12英寸工藝樣片已通過(guò)可靠性驗(yàn)證，為下一代產(chǎn)能擴(kuò)展奠定基礎(chǔ)。




 

5、高溫穩(wěn)定性

采用新型鈍化層材料和T型柵結(jié)構(gòu)，使器件在＞200℃環(huán)境溫度下仍保持穩(wěn)定性能，開(kāi)關(guān)損耗降低30%。在數(shù)據(jù)中心電源模塊中，允許工作溫度提升至105℃，功率密度達(dá)100W/in³；光伏逆變器應(yīng)用時(shí)，MPPT效率＞99.5%，系統(tǒng)壽命延長(zhǎng)至25年以上。

6、高效率特性

通過(guò)單片集成整流和降壓電路，實(shí)現(xiàn)＞95%的峰值轉(zhuǎn)換效率。在100W無(wú)線充電模組中，充電效率達(dá)92%，比傳統(tǒng)方案提升7個(gè)百分點(diǎn)，同時(shí)體積縮小60%。最新研發(fā)的240W快充方案，支持0-80%充電僅需15分鐘，溫升控制在＜35℃。



 

硅基氮化鎵外延片與技術(shù)關(guān)聯(lián)

1、碳化硅協(xié)同技術(shù)

技術(shù)關(guān)聯(lián)：通過(guò)創(chuàng)新性開(kāi)發(fā)GaN-on-SiC復(fù)合結(jié)構(gòu)，在4H-SiC襯底上異質(zhì)外延生長(zhǎng)高質(zhì)量GaN薄膜（厚度2-5μm）。該技術(shù)利用SiC優(yōu)異的導(dǎo)熱性（490W/m·K），使射頻器件的熱阻降低40%，在28GHz工作頻率下，功率密度提升至8W/mm以上。特別適用于5G毫米波基站功放模塊，可顯著改善器件在連續(xù)波模式下的熱穩(wěn)定性，結(jié)溫波動(dòng)控制在±5℃以內(nèi)。

2、藍(lán)寶石基GaN延伸

技術(shù)關(guān)聯(lián)：采用圖形化藍(lán)寶石襯底（PSS）技術(shù)，在2-6英寸藍(lán)寶石上外延生長(zhǎng)GaN器件層。通過(guò)優(yōu)化AlN成核層（厚度＜50nm）和應(yīng)變調(diào)控技術(shù)，實(shí)現(xiàn)穿透位錯(cuò)密度＜5×10? cm?²。該方案兼具高性價(jià)比和高性能優(yōu)勢(shì)，既可用于150W級(jí)高功率LED芯片制造（光效＞200lm/W），又能滿足Sub-6GHz射頻前端模塊需求（fT＞80GHz），成本較SiC基降低60%。

3、SOI集成方案

技術(shù)關(guān)聯(lián)：基于8英寸SOI（埋氧層厚度1μm）襯底開(kāi)發(fā)GaN-on-SOI技術(shù)，通過(guò)介質(zhì)隔離將寄生電容降低至0.15pF/mm²以下。結(jié)合深槽隔離工藝，使器件截止頻率（fmax）突破180GHz，噪聲系數(shù)＜1dB@28GHz，完美適配毫米波相控陣天線應(yīng)用。該技術(shù)已成功應(yīng)用于77GHz車(chē)載雷達(dá)芯片，探測(cè)距離提升30%的同時(shí)，將模塊尺寸縮小50%。

知明服務(wù)
 

1. 定制化外延：支持電壓（650V-1200V）、晶向（X/Y切型）定制。

2. 精密加工：提供＜1μm線寬的干法刻蝕與激光切割服務(wù)。

3. 技術(shù)協(xié)同：聯(lián)合開(kāi)發(fā)HEMT器件PDK，提供流片驗(yàn)證支持。

4. 檢測(cè)認(rèn)證：SEMI標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)報(bào)告（翹曲度、缺陷密度等）。