LNOI晶圓特性與典型應用

1、超高電光系數

特性：具有30 pm/V的超高電光系數，是傳統(tǒng)硅材料的40倍，可實現高效電光轉換。

應用：可應用于100Gbps以上高速光調制器，滿足數據中心高速互連需求。

2、超低光學損耗

特性：傳播損耗低于0.2 dB/cm@1550nm，保持信號傳輸完整性。

應用：特別適合長距離光子集成電路設計，提升系統(tǒng)能效比。

3、寬波段透明

特性：在400-4000nm寬波長范圍內保持優(yōu)異透光性。

應用：可用于多波長量子光源生成，支持量子通信系統(tǒng)。

4、高非線性效應

特性：χ?²?非線性系數超過30pm/V，支持高效非線性光學轉換。

應用：是光學頻率梳發(fā)生器的理想平臺，可用于精密測量。

5、高速調制特性

特性：支持100GHz以上調制帶寬，響應時間達納秒級。

應用：適用于800G/1.6T光模塊核心芯片，推動數據中心升級。

 

知明相關產品

1. 硅光芯片混合集成
開發(fā)低溫等離子鍵合工藝（<250℃），實現LNOI調制器與硅光探測器的單片集成，3dB帶寬>90GHz，插入損耗<3dB，適用于CPO共封裝光學架構。

2. 氮化硅平臺互補

通過納米級對準技術構建LNOI-Si?N?混合波導，其中Si?N?負責低損耗傳輸（<0.1dB/cm），LNOI實現高效電光調制（VπL<1V·cm），同時利用χ?²?非線性實現全光邏輯功能。

3. 磷化銦器件對接

采用端面反射鏡和微透鏡陣列，實現LNOI調制器與InP激光器的低損耗耦合（<1dB），集成模塊尺寸<0.5cm³，適用于可插拔光模塊（QSFP-DD封裝）。

4. 柔性電子拓展

采用端面反射鏡和微透鏡陣列，實現LNOI調制器與InP激光器的低損耗耦合（<1dB），集成模塊尺寸<0.5cm³，適用于可插拔光模塊（QSFP-DD封裝）。

1. 定制化晶圓：支持薄膜厚度（200-1000nm）、晶向（X/Y/Z切型）定制
 

2. 圖形化加工：提供＜100nm線寬的離子束刻蝕服務
 

3. 測試驗證：配備晶圓級電光參數測試平臺
 

4. 小批量供應：6英寸晶圓月產能500片
 

5. 技術培訓：提供LNOI設計PDK及流片指導